写入速度比U盘快一万倍复旦团队研发第三类存储

全国服务热线:400-123-4567
新闻分类 NEWS CATEGORY
新闻动态 news
联系我们 contact us
手机:
13988999988
电话:
400-123-4567
邮箱:
admin@baidu.com
地址:
广东省广州市天河区88号
团队三类
写入速度比U盘快一万倍复旦团队研发第三类存储
添加时间:2018-12-05
  

  非易失存储原型器件具有颠覆性意义张卫、周鹏团队研发的二维半导体准,类存储技术开创了第三,目前U盘快一万倍它的写入速度比,也可以自行决定数据的存储时间,后即自动消失到了有效期。写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题这也解决了国际半导体电荷存储技术中“。

  悉据,储技术主要有两类目前半导体电荷存,易失性存储第一类是,机中的内存例如计算,会立即消失掉电后数据;易失性存储第二类是非,常用的U盘例如人们,外能量可保存10年在写入数据后无需额。秒左右写入数据前者可在几纳,到几十微秒才能把数据保存下来第二类电荷存储技术需要几微秒。

  型电荷存储技术此次研发的新,秒写入数据速度既满足了10纳,0年)的可调控数据准非易失特性又实现了按需定制(10秒-1。存中可以极大降低存储功耗这种全新特性不仅在高速内,效期截止后自然消失还可以实现数据有,了保密性和传输的矛盾在特殊应用场景解决。

  注意到记者,未来的新技术这是一个面向。前当,墨烯为主的二维材料制作“超级电脑”全世界各国科学家都在尝试使用以石,更大存储空间”这一目标以追求“更快计算速度、。的第三类存储技术复旦团队此次研发,电脑提供最高效、大容量的存储可以为未来二维材料制作的超级。

  智慧交通违章通知系统等“比如无人驾驶汽车、,、存储容量大这种特性都在追求计算速度快,术)未来应用广泛(第三类存储技。卫说”张,响其计算运行速度的关键计算机的内存速度是影。

  于石墨烯的发现二维材料发轫,有力的化学键键合它在平面内存在强,子间作用力堆叠在一起而层与层之间则依靠分。此因,完美界面特性的原子级别晶体二维材料可以获得单层的具有。半导体和绝缘体的完整体系同时它是一个兼有导体、。、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度,提高集成度的崭新途径是降低存储器功耗和。

  在大尺度合成技术基础上实现高密度集成基于二维半导体的准非易失性存储器可,期自由度利用等多领域发挥重要作用将在极低功耗高速存储、数据有效。

  此刻岁月静好如果你觉得,烈曾为此负重远行不要忘记无数英。清明这个,手机放下,哀一分钟为他们默。

  失聪的女孩她是一个。时同,V的女主角……她是谁?有怎样的故事她还是一名职业舞者、王力宏新歌M?

  华文化之根汉字是中,化符号和智慧结晶是中华民族的文。年度汉字投上一票快来为你心中的。